مدل او از فرآیند مرکب پواسون (CP) برای شمارش رویدادهای تصادفی خوشهای استفاده میکند، که پدیدههای رایج خطاهای نرم در فناوریهایی هستند که از تراشههای زیر 90 نانومتر استفاده میکنند. TCAM 20 M با فناوری CMOS 90 نانومتری با ضربات نوترونی 180 مگا ولت آزمایش شد. فاصله شستشوی تعیین شده اسکرابر صنعتی بر اساس مدل پیشنهادی به نتایج آزمون TCAM اعمال می شود. احتمالات شکست بر اساس مدل CP به طور متوسط 31 درصد بیش برآورد را در مقایسه با داده های آزمایشی مشابه نشان داد. چنین برآورد بیش از حد عمدتاً ناشی از فرضیه ناراحتی مستقل در مدل پیشنهادی است و می تواند استفاده از مدل را به عنوان تحلیل بدترین حالت ممکن کند. بدترین مقایسه با دادههای آزمون، 1.7 درصد بیش برآورد را نشان داد، که میتواند نشان دهد مدل پیشنهادی در پیشبینی قابلیت اطمینان خطای نرم کران بالا مؤثر است.
مدل او از فرآیند مرکب پواسون (CP) برای شمارش رویدادهای تصادفی خوشهای استفاده میکند، که پدیدههای رایج خطاهای نرم در فناوریهایی هستند که از تراشههای زیر 90 نانومتر استفاده میکنند. TCAM 20 M با فناوری CMOS 90 نانومتری با ضربات نوترونی 180 مگا ولت آزمایش شد. فاصله شستشوی تعیین شده اسکرابر صنعتی بر اساس مدل پیشنهادی به نتایج آزمون TCAM اعمال می شود. احتمالات شکست بر اساس مدل CP به طور متوسط 31 درصد بیش برآورد را در مقایسه با داده های آزمایشی مشابه نشان داد. چنین برآورد بیش از حد عمدتاً ناشی از فرضیه ناراحتی مستقل در مدل پیشنهادی است و می تواند استفاده از مدل را به عنوان تحلیل بدترین حالت ممکن کند. بدترین مقایسه با دادههای آزمون، 1.7 درصد بیش برآورد را نشان داد، که میتواند نشان دهد مدل پیشنهادی در پیشبینی قابلیت اطمینان خطای نرم کران بالا مؤثر است.